### 物料型号
- 型号:SFF80N20
### 器件简介
- 描述:80安培,200伏特,25毫秒雪崩额定值的N沟道MOSFET。
### 引脚分配
- TO-254(M):漏极(Drain) - Pin1,源极(Source) - Pin2,栅极(Gate) - Pin3
- TO-254Z(Z):漏极(Drain) - Pin1,源极(Source) - Pin2,栅极(Gate) - Pin3
- TO-258(N):漏极(Drain) - Pin1,源极(Source) - Pin2,栅极(Gate) - Pin3
- TO-259(P):漏极(Drain) - Pin1,源极(Source) - Pin2,栅极(Gate) - Pin3
### 参数特性
- 最大额定值:
- 漏极-源极电压(Vpss):200V
- 栅极-源极电压(VGs):+20V ±30V
- 最大连续漏极电流(ID1):55A(25°C时)
- 最大瞬时漏极电流(ID2, ID3):80A(25°C时),48A(175°C时)
- 最大雪崩电流(IAR):60A
- 单次和重复雪崩能量(EAS, EAR):1500mJ, 50mJ
- 最大总功耗(Po):150W
- 工作和存储温度(TOP & TSTG):-55°C至+175°C
- 最大热阻(ReJc):1.0°C/W(典型值0.75°C/W)
### 功能详解
- 特点:
- 坚固的多晶硅栅极
- 行业内最低的导通电阻
- 雪崩额定值
- 密封、隔离的封装
- 低总栅极电荷
- 快速开关
- 提供TX, TXV, S级筛选
- 改进的(RonQ)性能指标
### 应用信息
- 应用:文档中未明确提及具体应用,但根据其参数和特性,适用于需要高电流、高电压和快速开关的应用,如电源管理、电机控制等。
### 封装信息
- 封装类型:TO-254(M), TO-254Z(Z), TO-258(N), TO-259(P)