物料型号:
- SSG60N60N
- SSG60N60NDB
- SSG60N60NUB
器件简介:
SSG60N60系列是一种600V的IGBT技术,具有正温度系数,便于并联。适用于高电流开关,常用于电机驱动和逆变器。具有低饱和电压、低开关损耗、高短路能力,MOS输入,电压控制,密封结构,提供TX、TXV和S级筛选。
引脚分配:
- TO-258封装:Collector - Pin 1, Emitter - Pin 2, Gate - Pin 3
- TO-259封装:Collector - Pin 1, Emitter - Pin 2, Gate - Pin 3
- SMD2封装:Collector - Pin 1, Emitter - Pin 2, Gate - Pin 3
参数特性:
- 最大集电极-发射极电压(VCEO):600V
- 连续集电极电流(Ic):25°C时85A,100°C时60A
- 峰值集电极电流(IC(pk)):200A
- 栅极-发射极电压(VGE):+20V
- 工作和存储温度(TJ, TSTG):-65至+200℃
- 总器件耗散(PD):25°C时350W
- 热阻,结到外壳(ROJC):N,P为0.5℃/W,S2为0.4℃/W
功能详解:
该IGBT具有600V的击穿电压和低饱和电压,适用于高电流应用。栅极-发射极阈值电压在3V到6V之间,无栅极电压下的集电极电流在25°C时为5.0mA,在150°C时为500μA。输入电容、输出电容和反向传输电容分别在7500pF、720pF和93pF。开关时间包括30ns的开启延迟时间和49ns的上升时间,关闭延迟时间为130ns,下降时间为175ns。
应用信息:
适用于高电流开关,常用于电机驱动和逆变器。