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ES1D

ES1D

  • 厂商:

    SSE

  • 封装:

  • 描述:

    ES1D - SURFACE MOUNT SUPER FAST SWITCHING RECTIFIER - Shanghai Sunrise Electronics

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ES1D 数据手册
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD. ES1A THRU ES1G SURFACE MOUNT SUPER FAST SWITCHING RECTIFIER VOLTAGE: 50 TO 400V CURRENT: 1.0A FEATURES • Ideal for surface mount pick and place application • Low profile package • Built-in strain relief • High surge capability • Glass passivated chip • Super fast recovery for high efficiency • High temperature soldering guaranteed: 260oC/10sec/at terminal TECHNICAL SPECIFICATION SMA/DO-214AC B A C D F G A MAX. .110(2.79) MIN. .100(2.54) E MAX. .208(5.28) MIN. .194(4.93) B .177(4.50) .157(3.99) F .090(2.29) .078(1.98) H C D .058(1.47) .012(0.305) .052(1.32) .006(0.152) G H .008(0.203) .060(1.52) .004(0.102) .030(0.76) MECHANICAL DATA • Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E, method 208C • Case: Molded with UL-94 Class V-O recognized flame retardant epoxy • Polarity: Color band denotes cathode Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load, derate current by 20%) RATINGS SYMBOL ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G UNITS 300 210 300 400 280 400 V V V A A 1.25 V µA µA nS pF o VRRM Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 50 100 150 200 VRMS Maximum RMS Voltage 35 70 105 140 VDC Maximum DC Blocking Voltage 50 100 150 200 Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 1.0 (TL=110oC) Peak Forward Surge Current (8.3ms single IFSM 30 half sine-wave superimposed on rated load) Maximum Instantaneous Forward Voltage VF 0.95 (at rated forward current) 5.0 Maximum DC Reverse Current Ta=25oC IR o 200 (at rated DC blocking voltage) Ta=100 C 35 Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) trr 10 CJ Typical Junction Capacitance (Note 2) 40 Typical Thermal Resistance (Note 3) Rθ(ja) -50 to +150 Storage and Operation Junction Temperature TSTG,TJ Note: 1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A. 2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc 3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area C/W o C http://www.sse-diode.com
ES1D
### 物料型号 - 型号包括ES1A至ES1G,覆盖50至400V的电压范围,电流为1.0A。

### 器件简介 - 这些器件适用于表面贴装拾放应用,具有低轮廓封装、内置缓释装置、高浪涌能力、玻璃钝化芯片、超快速恢复以提高效率,并确保能承受260°C/10秒的高温焊接。

### 引脚分配 - 引脚为镀层引脚,符合MIL-STD 202E标准,采用208C方法。

### 参数特性 - 最大重复峰值反向电压(VRRM)从50V至400V不等。 - 最大RMS电压(VRMS)从35V至280V不等。 - 最大直流阻断电压(VDC)与VRRM相同。 - 平均正向整流电流(IF(AV))为1.0A。 - 半正弦波叠加在额定负载上的峰值正向浪涌电流(IFSM)为30A。 - 正向电压降(VF)在0.95V至1.25V之间。 - 反向电流(IR)在室温下为200µA,在100°C时为5.0µA。 - 最大反向恢复时间(trr)以纳秒为单位。 - 典型结电容(CJ)以皮法拉为单位。 - 典型热阻(Rθ(ja))以摄氏度每瓦为单位。 - 存储和工作结温(TSTG,TJ)范围为-50至+150°C。

### 功能详解 - 器件为超快速开关整流二极管,用于电力电子领域,具有超快速恢复时间和高效率,适用于高频整流应用。

### 应用信息 - 适用于电力电子、变频器、开关电源、脉冲功率管理等应用。

### 封装信息 - 封装为SMA/DO-214AC,具有UL-94 V-0阻燃等级的阻燃环氧树脂。

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