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SST12LP14-QVC-K

SST12LP14-QVC-K

  • 厂商:

    SST

  • 封装:

  • 描述:

    SST12LP14-QVC-K - 2.4 GHz Power Amplifier - Silicon Storage Technology, Inc

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SST12LP14-QVC-K 数据手册
2.4 GHz Power Amplifier SST12LP14 SST12LP142.4 GHz Power Amplifier Preliminary Specifications FEATURES: • High Gain: – Typically 30 dB gain across 2.4~2.5 GHz over temperature 0°C to +80°C High linear output power: – >26.5 dBm P1dB – Meets 802.11g OFDM ACPR requirement up to 23 dBm – Added EVM ~4% up to 20 dBm for 54 Mbps 802.11g signal – Meets 802.11b ACPR requirement up to 24 dBm High power-added efficiency/Low operating current for both 802.11g/b applications – ~22% @ POUT = 22 dBm for 802.11g – ~26% @ POUT = 23.5 dBm for 802.11b Built-in Ultra-low IREF power-up/down control – IREF
SST12LP14-QVC-K
1. 物料型号: - SST12LP14

2. 器件简介: - SST12LP14是一款基于高可靠性InGaP/GaAs HBT技术的高性能功率放大器IC。它能够提供高达30dB的增益和优秀的功率附加效率,同时在2.4~2.5 GHz频段上工作。

3. 引脚分配: - GND:接地引脚,中心垫应通过几个低电感、低电阻的通孔连接到RF地。 - RFIN:射频输入,DC解耦。 - NC:无连接引脚。 - VCCb:偏置电路的供电电压。 - VREF1和VREF2:分别控制第一级和第二级的空闲电流。 - Det ref:芯片上的功率检测器参考。 - Det:芯片上的功率检测器。 - RFOUT:射频输出。 - VCC2和VCC1:分别供电第二级和第一级。

4. 参数特性: - 高增益:2.4~2.5 GHz温度范围内典型值为30dB。 - 高线性输出功率:>26.5 dBm P1dB,满足802.11g OFDM ACPR要求高达23 dBm。 - 高功率附加效率/低工作电流:对于802.11g/b应用,分别约为22%和26%。 - 内置超低IREF功率上升/下降控制:IREF<4 mA。 - 低空闲电流:约60 mA ICQ。 - 高速功率上升/下降:开启/关闭时间<100 ns。

5. 功能详解: - SST12LP14具有出色的线性度,典型值<4%的附加EVM高达20 dBm输出功率,这对于54 Mbps 802.11g操作至关重要,同时满足802.11g频谱掩模要求高达23 dBm。 - 宽范围(>25 dB)、温度稳定(80°C内约1dB)的单端/差分功率检测器,降低了用户在功率控制上的成本。

6. 应用信息: - 适用于WLAN (IEEE 802.11g/b)、家用射频无线电话和2.4 GHz ISM无线设备。

7. 封装信息: - 提供16引脚VQFN (3mm x 3mm)封装,包括无铅(lead-free)封装。
SST12LP14-QVC-K 价格&库存

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