### 物料型号
- 2N7000:60V N-channel MOSFET,导通电阻小于5Ω(在10V下),最大连续漏源电流为0.35A。
- 2N7002:60V N-channel MOSFET,导通电阻小于5Ω(在10V下),最大连续漏源电流为0.20A。
### 器件简介
这两款MOSFET是STMicroelectronics的第二代“Single Feature Size™”条形工艺技术制造的。具有极高的封装密度,低导通电阻,坚固的雪崩特性,以及对齐步骤不严格,因此制造可重复性显著。
### 引脚分配
- SOT23-3L:包含三个引脚,分别为G(栅极),D(漏极),S(源极)。
- TO-92:同样包含三个引脚,分别为G(栅极),D(漏极),S(源极)。
### 参数特性
- 漏源电压(Vpss):两款均为60V。
- 导通电阻(RDs(on)):2N7000小于5Ω(在10V下),2N7002小于5Ω(在10V下)。
- 连续漏源电流(ID):2N7000为0.35A,2N7002为0.20A。
### 功能详解
这些MOSFET适用于开关应用,具有低栅极电荷、低导通电阻和低阈值驱动特性。
### 应用信息
主要应用于开关应用,具体的应用电路图在文档中有详细展示。
### 封装信息
- TO-92:机械尺寸数据详细列出了各个尺寸的最小值、典型值和最大值。
- SOT23-3L:同样提供了详细的机械尺寸数据。