E-L6569D

E-L6569D

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

    SOIC-8

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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E-L6569D 数据手册
E-L6569D
物料型号:L6569/L6569A

器件简介:L6569是一款高电压半桥驱动器,内置振荡器,适用于离线电源技术,具有高达600V的高电压轨和内部自举二极管结构。

引脚分配: - VS:供电输入电压,内部钳位典型值为15.6V。 - RF:振荡器定时电阻引脚。 - CF:振荡器定时电容引脚。 - GND:地。 - LVG:低端驱动器输出,可提供170mA源电流和270mA汇电流。 - OUT:高端驱动器浮动参考。 - HVG:高端驱动器输出,可提供170mA源电流和270mA汇电流。 - BOOT:自举电压供电,是高端驱动器的浮动供电。

参数特性: - 驱动电流能力:源电流170mA,汇电流270mA。 - 非常低的启动电流:150µA。 - 欠压锁定带迟滞。 - 可编程振荡器频率和死区时间1.25µs。 - dV/dt抗扰度高达±50V/ns。 - ESD保护。

功能详解:L6569具有内部电路,可以通过外部逻辑信号驱动。输出驱动器设计用于驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑确保死区时间,避免功率器件的交叉导通。

应用信息:L6569适用于离线电源技术,例如在电源适配器和电池充电器中驱动功率MOSFET和IGBT。

封装信息:提供Minidip SO8封装。
E-L6569D 价格&库存

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E-L6569D
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