GF7NB60SL

厂商：
STMICROELECTRONICS(意法半导体)
封装：
描述：
GF7NB60SL - N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT - STMicroelectronics

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STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH™ IGBT Table 1: General Features TYPE STGF7NB60SL s s s s s Figure 1: Package IC @100°C 7A VCES 600 V VCE(sat) (Max) @25°C < 1.6 V POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP LOW GATE CHARGE HIGH CURRENT CAPABILITY 3 1 2 DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (

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GF7NB60SL

1. 物料型号： - 型号：STGF7NB60SL - 封装：TO-220FP

2. 器件简介： - STGF7NB60SL是STMicroelectronics生产的N-CHANNEL IGBT，属于PowerMESH™ IGBT系列，具有高电流能力（7A），低导通压降，低阈值电压等特点，适用于低频应用（小于1kHz）。

3. 引脚分配： - 该型号为TO-220FP封装，通常这种封装具有3个引脚：G（栅极），D（漏极），S（源极）。

4. 参数特性： - 集电极-发射极电压（VCES）：600V - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：最大1.6V @ 25°C - 集电极电流（Ic @100°C）：7A

5. 功能详解： - 该IGBT采用多硅晶门电压驱动技术，具有低导通压降、低阈值电压、低门极电荷和高电流能力等特点，适用于需要高效率和高功率密度的应用场合，如静态继电器和调光器。

6. 应用信息： - 应用领域包括灯光调光器和静态继电器等。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220FP，这是一种常见的表面贴装封装，适用于功率较高的IGBT。

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