物料型号:
- L6353(DIP封装)
- L6353D(SO封装)
器件简介:
L6353是一款智能驱动器,集成了驱动和保护功能。它支持逻辑电平触发或光耦合器/脉冲变压器信号触发,可驱动任何MOS或IGBT。
引脚分配:
- OUT1:高侧驱动输出(功率NPN晶体管的发射极)。
- Vcc:正供电电压(参考COM引脚)。
- VPos:正偏置电压(NPN功率晶体管的集电极)。
- CLAMP_PROG:栅极电压编程的第一步。
- INV-OUT:反转输出驱动状态。
- ALARM:诊断输出信号。
- MON_DELAY:Von监测延迟。
- VREF:5V/10mA内部电压参考的输出。
- INPUT:输入信号。
- DELAY:触发延迟。
- SELECT:选择逻辑电平模式的直接/反相模式。
- ON_LEV_PROG:Von电平编程。
- ON_SENSE:监测外部功率器件的导通状态。
- Vss:负供电电压(参考COM引脚)。
- COM:地。
- OUT2:低侧驱动输出(DMOS的漏极)。
参数特性:
- 供电电压范围:12.5V至18V。
- 负偏置电压范围:0至-7.5V。
- 峰值高输出电流能力:+8A。
- 过电流和欠饱和保护。
- 锁up保护(针对IGBT)。
- 两步触发(可编程)。
- 防止正供电欠压输入。
- 与光耦合器或脉冲变压器兼容。
- 可编程触发延迟。
- 热保护,内置过温报警和关闭程序。
功能详解:
L6353监控被驱动功率器件的导通电压降,保护其免受过载和短路。导通电压降水平可从5V至15V外部编程。过载或过热会在报警输出上显示。如果温度持续升高,功率输出将关闭并保持关闭状态,直到温度下降至低于低温阈值。
应用信息:
L6353可用于需要驱动和保护MOS或IGBT的应用场合,如电机驱动、电源管理等。
封装信息:
- DIP16和SO16封装。
- 热阻(DIP16:最大80°C/W,SO16:最大90°C/W)。