1. 物料型号：
- M29F100T 和 M29F100B，1 Mbit（128Kb x8 或 64Kb x16，引导块）单电源闪存。
2. 器件简介：
- M29F100 是一种非易失性存储器，可在块或芯片级别上通过电擦除，并在系统内逐字节或逐字编程，仅使用单一5V供电。编程和擦除操作所需的高电压由内部生成。
3. 引脚分配：
- 引脚包括地址输入（A0-A15）、数据输入/输出（DQ0-DQ7 和 DQ8-DQ14）、芯片使能（E）、输出使能（G）、写使能（W）、复位/块临时解除保护（RP）、就绪/忙输出（RB）等。
4. 参数特性：
- 工作电压：5V ± 10%。
- 快速访问时间：70ns，快速编程时间：10µs（字节典型）/16µs（字典型）。
- 低功耗：待机和自动待机。
- 擦除/编程周期：每个块100,000次。
- 数据保持时间：20年。
5. 功能详解：
- 包含程序/擦除控制器（P/E.C.），支持字节或字编程。
- 内存块：引导块（顶部或底部位置）、参数块和主块。
- 支持块、多块擦除和芯片擦除。
- 擦除挂起和恢复模式：在擦除挂起期间可以读取或编程其他块。
- 电子签名：制造商代码0020h，设备代码M29F100T为00D0h，M29F100B为00D1h。
6. 应用信息：
- 适用于需要非易失性存储和可多次编程的应用场合。
7. 封装信息：
- 提供TSOP48（12 x 20mm）和SO44封装，TSOP48封装提供正常和反向引脚布局。
