M295V160BB70N1T

M295V160BB70N1T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M295V160BB70N1T - 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory - STMicroelectron...

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M295V160BB70N1T 数据手册
M295V160BB70N1T
物料型号: - M29F160BT - M29F160BB

器件简介: M29F160BT和M29F160BB是16Mbit(2Mb x 8或1Mb x 16)非易失性存储器,可读、擦除和重编程。这些操作可以使用单个5V供电完成。上电后,存储器默认处于读取模式,可以像读取ROM或EPROM一样读取。存储器被划分为可以独立擦除的块,允许在擦除旧数据时保留有效数据。每个块可以独立保护,以防止意外的编程或擦除命令修改存储器。M29F160BT和M29F160BB提供了高达100,000次的编程/擦除周期和20年的数据保持。

引脚分配: - A0-A19:地址输入 - DQ0-DQ15A-1:数据输入/输出或地址输入 - E:芯片使能 - G:输出使能 - W:写入使能 - RP:复位/块临时解除保护 - RB:准备/忙输出 - BYTE:字节/字选择 - Vcc:供电电压 - Vss:地

参数特性: - 单一5V±10%供电电压用于编程、擦除和读取操作 - 访问时间:55ns;编程时间:8µs每字节/字典型 - 35个存储块,包括1个引导块和32个主块 - 100,000次编程/擦除周期每块 - 20年数据保持 - 缺陷率低于1ppm/年

功能详解: - 存储器块独立擦除和保护 - 内置字节/字编程算法和多块/芯片擦除算法 - 状态寄存器轮询和翻转位 - 准备/忙输出引脚 - 擦除暂停和恢复模式 - 通过编程命令解锁绕过 - 临时块解除保护模式 - 低功耗待机和自动待机

应用信息: M29F160BT和M29F160BB适用于需要非易失性存储的多种应用,如工业控制、通信设备、计算机和医疗设备等。

封装信息: - TSOP48(12 x 20mm)封装
M295V160BB70N1T 价格&库存

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