物料型号：
- M29F160BT：顶引导块(Top Boot Block)的16Mbit (2Mb x8 或 1Mb x16)单电源闪存。
- M29F160BB：底引导块(Bottom Boot Block)的16Mbit (2Mb x8 或 1Mb x16)单电源闪存。
器件简介：
- M29F160B系列是一个16Mbit非易失性存储器，可读、可擦除和可重编程。操作使用单一5V供电，在上电时默认为读取模式，可以像ROM或EPROM一样读取。存储器被划分为可以独立擦除的块，允许在擦除旧数据时保留有效数据。
引脚分配：
- 地址输入(A0-A19)：选择存储器阵列中的单元进行总线读操作。
- 数据输入/输出(DQ0-DQ15A-1)：在总线读操作期间输出选定地址的数据。
- 芯片使能(E)：激活存储器，允许总线读和总线写操作。
- 输出使能(G)：控制存储器的总线读操作。
- 写使能(W)：控制存储器命令接口的总线写操作。
- 复位/块临时解除保护(RP)：可以用于对存储器进行硬件复位或临时解除所有受到保护的块的保护。
- 准备/忙输出(RB)：用于标识存储器阵列何时可以被读取。
- 字节/字选择(BYTE)：用于在8位和16位总线模式之间切换。
参数特性：
- 单一5V±10%供电电压用于编程、擦除和读取操作。
- 访问时间：55ns；编程时间：8µs每字节/字典型。
- 100,000次每块的编程/擦除周期。
- 数据保持时间：20年。
- 缺陷率：<1ppm/年。
- 电子签名：制造商代码0020h；M29F160BT设备代码22CCh；M29F160BB设备代码224Bh。
功能详解：
- 存储器被划分为35个存储块，包括1个引导块、2个参数块和32个主块。
- 具备嵌入式字/字节编程算法和多块/芯片擦除算法。
- 支持状态寄存器轮询和切换位，以及准备/忙输出引脚。
- 具备擦除暂停和恢复模式，以及解锁旁路编程命令，以加快批量编程速度。
应用信息：
- 16Kbyte引导块可用于微处理器的小初始化代码，8Kbyte参数块可用于参数存储，剩余的32Kbyte主块可用于存储应用程序。
封装信息：
- TSOP48(12 x 20mm)封装，所有位均被擦除（设置为'1'）。
