物料型号:
- 型号:M616Z08
器件简介:
- M616Z08是一款128 Kbit(131,072位)的CMOS SRAM,组织为16位。该器件支持全静态操作,无需外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个2.6V ± 10%或3.3V ± 10%的单一供电,所有输入和输出均与TTL兼容。
引脚分配:
- A0-A12:地址输入
- DQ0-DQ15:数据输入/输出
- CE:芯片使能
- OE:输出使能
- WE0:数据低位(0-7位)写使能
- WE1:数据高位(8-15位)写使能
- Vcc:供电电压
- Vss:地
- TO:超时引脚(应连接至Vcc)
参数特性:
- 工作电压:2.34V至3.6V
- 组织:8 Kbit x 16 SRAM
- 访问时间:快至20ns
- 双写使能引脚,允许分别对高低字节进行写操作
功能详解:
- M616Z08支持READ模式和WRITE模式。READ模式下,通过地址输入选择内存中的16个位置之一进行数据访问。WRITE模式下,WE0或WE1和CE引脚低电平时激活写操作。
应用信息:
- M616Z08适用于需要快速读写操作的高速存储器设计。设计时需注意电源布线和电容退耦,以确保系统正常运行。
封装信息:
- M616Z08采用44引脚SOIC封装,无帽。