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M68AF031AL55N1T

M68AF031AL55N1T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF031AL55N1T - 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AF031AL55N1T 数据手册
M68AF031AL55N1T
物料型号: - M68AF031A

器件简介: - M68AF031A是一款256 Kbit(32K x 8)的5.0V异步SRAM。它具有32,768字节的存储容量,完全静态操作,无需外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个4.5到5.5V的单一供电电压,并具备自动降低功耗超过99%的自动断电功能。

引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A14)、数据输入/输出(DQ0-DQ7)、芯片使能(E)、输出使能(c)、写使能(W)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V - 访问时间:55ns和70ns - 低待机电流 - 低Vcc数据保持:2V - 三态公共I/O - 自动电源下降功能

功能详解: - M68AF031A具备芯片使能省电功能,在芯片使能取消选择时自动进入待机模式。输出使能(G)信号提供高速三态控制,允许在通用I/O数据线上实现快速读写周期。操作模式由设备控制输入W和E决定。 - 读模式:当写使能(W)为高电平,输出使能(G)为低电平,且芯片使能(E)被断言时,M68AF031A处于读模式,允许访问静态存储阵列中的262,144个存储位置的数据。 - 写模式:当芯片使能(E)和写使能(W)为低电平时,M68AF031A处于写模式。在地址转换期间,必须取消断言芯片使能输入(E)或写使能输入(W)以进行后续写周期。

应用信息: - 该芯片适用于需要快速读写操作的应用场合,如缓存存储、数据暂存等。
M68AF031AL55N1T 价格&库存

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