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M68AF031AL55N6E

M68AF031AL55N6E

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF031AL55N6E - 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AF031AL55N6E 数据手册
M68AF031AL55N6E
物料型号: - 型号为M68AF031A,是一个256 Kbit (32K x 8)的5.0V异步SRAM。

器件简介: - M68AF031A是一个262,144位的CMOS SRAM,以32,768字节组织。该设备具有完全静态操作特性,不需要外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个4.5到5.5V的单一供电。该设备具有自动降低功耗功能,在未选中时降低超过99%的功耗。

引脚分配: - A0-A14:地址输入 - DQ0-DQ7:数据输入/输出 - E:芯片使能 - G:输出使能 - W:写使能 - Vcc:供电电压 - Vss:地 - NC:内部未连接

参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V - 访问时间:55ns和70ns - 低待机电流 - 低Vcc数据保持:2V - 三态公共I/O - 自动降低功耗

功能详解: - M68AF031A具备芯片使能功耗降低功能,在芯片使能信号不被确认时自动进入待机模式。输出使能(G)信号提供高速三态控制,允许在通用I/O数据线上快速读写周期。 - 操作模式由设备控制输入W和E决定。 - 读模式:在写使能(W)高电平、输出使能(G)低电平和芯片使能(E)被确认时,设备处于读模式,可以访问静态存储阵列中的262,144个位置的数据。 - 写模式:在芯片使能(E)和写使能(W)低电平时,设备处于写模式。无论是芯片使能(E)还是写使能(W),在地址转换期间必须取消确认,以进行后续的写周期。

应用信息: - 该芯片适用于需要快速读写操作的应用场合,由于其具有自动功耗降低功能,也适用于对功耗有要求的应用。

封装信息: - 该芯片提供SO28(28引脚小外形)、PDIP28(28引脚塑料双列直插式)和TSOP28(28引脚薄型小外形,标准和反向引脚布局)封装。 - TSOP28标准封装也提供无铅版本(标准和卷带包装),符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS(限制有害物质)指令。也符合无铅焊接流程。
M68AF031AL55N6E 价格&库存

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