M68AF031AL55N6F

1. 物料型号：M68AF031A

2. 器件简介： - 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM。 - 4.5到5.5V供电，32K x 8位SRAM。 - 具备输出使能和相等的周期和访问时间。 - 低待机电流，低VCC数据保持，2V三态共同I/O，自动电源下降功能。 - 提供SO28、PDIP28、TSOP28封装，TSOP28标准封装提供无铅版本。

3. 引脚分配： - A0-A14：地址输入。 - DQ0-DQ7：数据输入/输出。 - E：芯片使能。 - c：输出使能。 - W：写使能。 - Vcc：供电电压。 - Vss：地。 - NC：内部未连接。

4. 参数特性： - 供电电压：4.5V至5.5V。 - 访问时间：55ns和70ns。 - 输出电流：最大20mA。 - 功率耗散：最大1W。 - 环境操作温度：-55至125°C。 - 引脚在焊接时的温度：未给出具体值。 - 存储温度：-65至150°C。 - 供电电压范围：-0.5至6.5V。 - 输入或输出电压：-0.5至Vcc + 0.5V。

5. 功能详解： - 具备芯片使能的省电模式，当芯片使能为高时自动进入待机模式。 - 操作模式由控制输入W和E决定，包括选中、读取、写入和输出禁用。 - 读取模式：当W为高，E被断言时，提供对262,144个存储位置的数据访问。 - 写入模式：当W和E为低时，开始写入周期。

6. 应用信息： - 该SRAM广泛应用于需要快速读写操作的场合，如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息： - SO28 (28引脚小外形封装)。 - PDIP28 (28引脚塑料双列直插封装)。 - TSOP28 (28引脚薄小外形封装，标准和反向引脚布局)。