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M68AF031AL55N6T

M68AF031AL55N6T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF031AL55N6T - 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AF031AL55N6T 数据手册
M68AF031AL55N6T
物料型号: - M68AF031A

器件简介: - M68AF031A是一款256 Kbit(32K x 8)的5.0V异步SRAM,具有32,768字节的存储空间。该器件完全静态操作,无需外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个4.5到5.5V的单一电源供电,并具备自动降低功耗超过99%的自动功耗降低功能。

引脚分配: - A0-A14:地址输入 - DQ0-DQ7:数据输入/输出 - E:芯片使能 - c:输出使能 - W:写使能 - Vcc:供电电压 - Vss:地 - NC:内部未连接

参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V - 访问时间:55ns和70ns - 低待机电流 - 低Vcc数据保持:2V - 三态公共I/O - 自动功耗降低功能

功能详解: - M68AF031A具有芯片使能的功耗降低功能,在芯片使能信号不被确认时自动进入待机模式。一个输出使能(G)信号提供了高速三态控制,允许在共同的I/O数据线上快速读写周期。 - 操作模式由设备控制输入W和E决定,具体模式见操作模式表。 - 读模式:当写使能(W)为高电平,输出使能(G)为低电平,芯片使能(E)被确认时,M68AF031A处于读模式。 - 写模式:当芯片使能(E)或写使能(W)为低电平时,M68AF031A处于写模式。

应用信息: - M68AF031A可用于需要快速读写周期和低功耗的应用场合,如缓存存储、数据暂存和其他需要SRAM的场合。

封装信息: - SO28(28引脚小外形) - PDIP28(28引脚塑料双列直插式封装) - TSOP28(28引脚薄型小外形封装,标准和反向引脚布局)
M68AF031AL55N6T 价格&库存

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