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M68AF031AL70N6E

M68AF031AL70N6E

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF031AL70N6E - 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AF031AL70N6E 数据手册
M68AF031AL70N6E
1. 物料型号: - M68AF031A

2. 器件简介: - M68AF031A是一款256 Kbit(32K x 8)的5.0V异步SRAM。它具有32K x 8位的SRAM,具备输出使能和相等的周期及访问时间。供电电压范围为4.5到5.5V,待机电流低,支持2V的VCC数据保持,具备自动电源关闭功能,以减少99%以上的功耗。该器件有SO28、PDIP28和TSOP28三种封装形式,并提供无铅版本,符合JEDEC、ST ECOPACK和RoHS指令。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入A0-A14、数据输入/输出DQ0-DQ7、芯片使能E、输出使能c、写使能W、供电电压Vcc和地Vss等。

4. 参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V - 访问时间:55ns和70ns - 低待机电流 - 自动电源关闭功能 - 支持2V的VCC数据保持

5. 功能详解: - M68AF031A具有芯片使能的省电功能,当芯片使能被取消时自动进入待机模式。输出使能提供高速三态控制,允许在公共I/O数据线上实现快速读写周期。操作模式由设备控制输入W和E决定。 - 读模式:当写使能(W)为高电平,输出使能(G)为低电平,芯片使能(E)被断言时,设备处于读模式,允许访问静态存储阵列中的数据。 - 写模式:当$\overline{W}$和$\overline{E}$为低电平时,设备处于写模式。必须在地址转换期间取消Chip Enable输入(E)或Write Enable输入(W)。

6. 应用信息: - 该SRAM适用于需要快速读写操作的应用场合,如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息: - SO28(28引脚小外形)、PDIP28(28引脚塑料双列直插封装)和TSOP28(28引脚薄小外形,标准和反向引脚排列)。
M68AF031AL70N6E 价格&库存

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