M68AF031AM70N6T

物料型号： - M68AF031A

器件简介： - M68AF031A是一款256 Kbit（32K x 8）的5.0V异步SRAM。 - 特点包括4.5至5.5V的供电电压、32K x 8位SRAM、输出使能、相等的周期和访问时间（55ns和70ns）、低待机电流、低VCC数据保持、三态共同I/O、自动电源关闭功能。 - 封装形式包括SO28、PDIP28和TSOP28（标准及反向引脚排列）。

引脚分配： - 引脚包括地址输入A0-A14、数据输入/输出DQ0-DQ7、芯片使能E、输出使能c、写使能W、供电电压Vcc和地Vss等。

参数特性： - 供电电压：4.5至5.5V - 访问时间：55ns和70ns - 待机供应电流：CMOS，VCC = 5.5V时为0.1至5µA - 输入泄漏电流：0V至VCC – 1之间为1µA - 输出泄漏电流：0V至VCC – 1之间为1µA - 输入高电平电压：2.2VCC + 0.3V - 输入低电平电压：-0.3V至0.8V - 输出高电平电压：IOH = –1.0mA时为2.4V - 输出低电平电压：IOL = 2.1mA时为0.4V

功能详解： - M68AF031A具有芯片使能的省电功能，在芯片使能取消选中时自动进入待机模式，减少功耗超过99%。 - 操作模式由设备控制输入W和E决定，包括取消选中、读取、写入和输出禁用模式。 - 读取模式在写使能W为高电平和输出使能G为低电平时激活，允许访问静态存储阵列中的数据。 - 写入模式在W和E为低电平时激活，必须在地址转换期间取消Chip Enable或Write Enable输入。

应用信息： - 该SRAM适用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、数据暂存和其他需要临时存储解决方案的场景。