M68AF127BM55MC6

M68AF127BM55MC6

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF127BM55MC6 - 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

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M68AF127BM55MC6 数据手册
M68AF127BM55MC6
1. 物料型号: - 型号为M68AF127B,是一款1Mbit (128K x 8)的5V异步静态随机存取存储器(SRAM)。

2. 器件简介: - M68AF127B是1,048,576位的CMOS SRAM,组织为131,072个单词,每个单词8位。该器件支持全静态操作,无需外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。工作电压为4.5到5.5V。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A16)、数据输入/输出(DQ0-DQ7)、芯片使能(E1和E2)、输出使能(G)、写使能(W)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

4. 参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V。 - 访问时间:55ns。 - 低功耗待机模式,当芯片未被选中时,功耗降低超过99%。

5. 功能详解: - 具有芯片使能省电功能,在芯片使能取消时自动进入待机模式。 - 支持读模式和写模式,由设备控制输入W和E1确定操作模式。 - 数据保持模式:在Vcc降低至2V时仍能保持数据。

6. 应用信息: - 可用于需要快速读写操作的场合,如缓存存储、高速数据处理等。

7. 封装信息: - 提供SO32、PDIP32、TSOP32 (8x13.4mm)和TSOP32 (8x20mm)封装选项。
M68AF127BM55MC6 价格&库存

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