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M68AF127BM70N6T

M68AF127BM70N6T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AF127BM70N6T - 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AF127BM70N6T 数据手册
M68AF127BM70N6T
1. 物料型号: - M68AF127B

2. 器件简介: - M68AF127B是一款1Mbit(128K x 8位)的CMOS SRAM,具备完全静态操作特性,无需外部时钟或定时信号,具备相等的地址访问和周期时间。它只需要一个4.5到5.5V的单一供电。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A16)、数据输入/输出(DQ0-DQ7)、两个芯片使能(E1和E2)、输出使能(G)、写使能(W)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

4. 参数特性: - 供电电压:4.5V至5.5V。 - 访问时间:55ns。 - 低待机电流。 - 低活动和待机功耗。 - 2V三态共同I/O低活动和待机功耗。

5. 功能详解: - 具备芯片使能省电功能,在未选中时自动进入待机模式,减少功耗超过99%。 - 操作模式由设备控制输入W和E1决定,包括读模式和写模式。

6. 应用信息: - 该SRAM可用于需要快速读写操作的应用场合,如缓存存储等。

7. 封装信息: - M68AF127B有SO32、PDIP32、TSOP32(8x13.4mm)和TSOP32(8x20mm)四种封装方式。
M68AF127BM70N6T 价格&库存

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