M68AR016DN70ZH6T

1. 物料型号： - 型号为M68AR024D，是一种16 Mbit (1M x 16)的1.8V异步SRAM。

2. 器件简介： - M68AR024D是由STMicroelectronics生产的低功耗SRAM，组织为1,048,576字 x 16位。该器件完全静态操作，无需外部时钟或定时信号。供电电压需求为1.65到1.95V，通过VCCQ引脚可以使所有输出独立于核心供电电压，从而驱动I/O引脚低至1.5V。

3. 引脚分配： - A0-A19：地址输入。 - DQ0-DQ15：数据输入/输出。 - E1,E2：芯片使能。 - G：输出使能。 - W：写使能。 - UB：高字节使能输入。 - LB：低字节使能输入。 - Vcc：供电电压。 - VccQ：I/O供电电压。 - Vss：地。 - NC：内部未连接。 - DU：请勿使用，内部已连接。

4. 参数特性： - 供电电压：1.65到1.95V，I/O供电电压：1.5到1.95V。 - 低功耗SRAM，相等的周期和访问时间：70ns。 - 低VCC数据保持：1.0V。 - 低待机电流，三态公共I/O，单字节读写，自动电源下降。

5. 功能详解： - 该器件具有标准的异步SRAM接口，可以通过UB/LB信号对单个字节进行读写周期。 - 通过E1/E2引脚可以进入待机模式，降低内部活动以减少高达99%的电流消耗。 - 支持通过级联更多设备实现深度内存扩展。

6. 应用信息： - M68AR024D提供工业标准尺寸的TFBGA48 (0.75 mm间距)封装。

7. 封装信息： - TFBGA48封装有两种尺寸：6.5 x 10 mm和8 x 10 mm，都是6x8的球阵列，间距为0.75 mm。