M68AR024D

### 物料型号 - 型号：M68AR024D

### 器件简介 - 概述：M68AR024D是一款16 Mbit（1M x 16）的1.8V异步SRAM，采用STMicroelectronics先进的CMOS技术制造，组织为1,048,576字 x 16位。该设备完全静态操作，无需外部时钟或定时信号。 - 供电电压：核心供电1.65到1.95V，I/O供电1.5到1.95V。 - 特性：低功耗SRAM、等周期和访问时间70ns、低VCC数据保持1.0V、低待机电流、三态公共I/O、单字节读写、自动电源down。

### 引脚分配 - 地址输入：A0-A19 - 数据输入/输出：DQ0-DQ15 - 芯片使能：E1, E2 - 输出使能：G - 写使能：W - 高字节使能输入：UB - 低字节使能输入：LB - 供电电压：Vcc - I/O供电电压：VccQ - 地：Vss - 未连接：NC - 勿用：DU

### 参数特性 - 供电电压：Vcc 1.65到1.95V，VccQ 1.5到1.95V。 - 环境工作温度：0到70°C（范围1），-40到85°C（范围6）。 - 负载电容：CL 30pF。 - 输出电路保护电阻：R1 15.3k，R2 11.3k。 - 输入上升和下降时间：≤1ns/V。 - 输入脉冲电压：0到VccQ。 - 输入和输出定时参考电压：VccQ/2。 - 输出转换定时参考电压：VRL = 0.3VccQ; VRH = 0.7VccQ。

### 功能详解 - 操作模式：由设备控制输入W, E1, LB和UB决定。 - 待机模式：通过E1/E2引脚进入，降低内部活动以减少电流消耗。 - 数据保持：在低VCC下保持数据。

### 应用信息 - 封装：TFBGA48（0.75 mm间距）封装，工业标准足迹。 - 应用：适用于需要低功耗、快速读写操作的应用场合。

### 封装信息 - TFBGA48：6.5 x 10 mm（ZB），8 x 10 mm（ZH），6x8球阵列，0.75 mm间距。