1. 物料型号：
- M68AW128M，这是一个2 Mbit (128K x 16) 3.0V异步SRAM。
2. 器件简介：
- M68AW128M是一个2 Mbit (2,097,152位)的CMOS SRAM，组织为131,072字×16位。该设备具有完全的静态操作特性，不需要外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个2.7到3.6V的单一供电。该设备具有自动断电功能，当未选中时，可以减少99%以上的功耗。
3. 引脚分配：
- A0-A16：地址输入。
- DQ0-DQ15：数据输入/输出。
- E：芯片使能。
- G：输出使能。
- W：写使能。
- UB：高字节使能输入。
- LB：低字节使能输入。
- Vcc：供电电压。
- Vss：地。
- NC：内部未连接。
- DU：请勿使用，内部已连接。
4. 参数特性：
- 供电电压：2.7到3.6V。
- 访问时间：55ns。
- 低待机电流。
- 低Vcc数据保持：1.5V。
- 三态公共I/O。
- 自动断电功能。
5. 功能详解：
- 该SRAM具有芯片使能断电功能，在芯片使能为高电平或LB和UB为高电平时自动进入待机模式。输出使能(G)信号提供高速三态控制，允许在公共I/O数据线上实现快速读写周期。操作模式由设备控制输入W、E、LB和UB决定。
6. 应用信息：
- 该SRAM可用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、数据暂存等。
7. 封装信息：
- TFBGA48 (0.75 mm间距)和TSOP44 Type II封装。此外，还提供符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS (有害物质限制)指令的无铅版本。所有封装都符合无铅焊接工艺。
