1. 物料型号：M68AW128M
- 这是一个2 Mbit (128K x 16)的3.0V异步SRAM。
2. 器件简介：
- M68AW128M是一个2,097,152位的CMOS SRAM，组织为131,072个单词，每个单词16位。该设备具有完全的静态操作特性，不需要外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个2.7到3.6V的单一供电电压。该设备具有自动断电功能，当未选中时，可以减少99%以上的功耗。
3. 引脚分配：
- 引脚包括地址输入A0-A16、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能G、写使能W、高字节使能输入UB、低字节使能输入LB、供电电压Vcc和地Vss等。
4. 参数特性：
- 供电电压：2.7到3.6V。
- 访问时间：55ns。
- 低待机电流。
- 数据保持：1.5V。
- 三态共同I/O。
- 自动断电功能。
5. 功能详解：
- 设备在芯片使能为高（E=High）或LB和UB为高（LB和UB=High）时进入自动待机模式。输出使能（G）信号提供高速三态控制，允许在共同I/O数据线上实现快速读写周期。
- 操作模式由设备控制输入W、E、LB和UB决定。
6. 应用信息：
- M68AW128M可用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、内存扩展等。
7. 封装信息：
- M68AW128M提供TFBGA48（0.75mm间距）和TSOP44 Type II封装。
- 除了标准版本外，还提供无铅版本，符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS（限制有害物质）指令。所有封装都符合无铅焊接工艺。
