M68AW128ML55ZB6T

1. 物料型号： - M68AW128M，2 Mbit (128K x 16) 3.0V异步SRAM。

2. 器件简介： - M68AW128M是一款2Mbit（2,097,152位）的CMOS SRAM，组织为131,072字 x 16位。该器件具有完全的静态操作特性，无需外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个2.7到3.6V的单一供电。该设备具有自动断电功能，在未选中时可以减少99%以上的功耗。

3. 引脚分配： - A0-A16：地址输入。 - DQ0-DQ15：数据输入/输出。 - E：芯片使能。 - G：输出使能。 - W：写使能。 - UB：高字节使能输入。 - LB：低字节使能输入。 - Vcc：供电电压。 - Vss：地。 - NC：内部未连接。 - DU：请勿使用，内部已连接。

4. 参数特性： - 供电电压：2.7到3.6V。 - 访问时间：55ns。 - 低待机电流。 - 低Vcc数据保持：1.5V。 - 三态共同I/O。 - 自动电源关闭。

5. 功能详解： - 该器件在芯片使能为高（E=High）或LB和UB为高（LB和UB=High）时自动进入待机模式。输出使能（G）信号提供高速三态控制，允许在公共I/O数据线上实现快速读写周期。操作模式由设备控制输入W、E、LB和UB决定。

6. 应用信息： - M68AW128M可用于需要快速读写操作的静态内存阵列的应用，如缓存存储、数据暂存和其他需要快速数据访问的场合。

7. 封装信息： - TFBGA48（0.75mm间距）和TSOP44 Type II封装。此外，还提供符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS（有害物质限制）指令的无铅版本。所有封装都符合无铅焊接工艺。