M68AW128ML70ZB1E

M68AW128ML70ZB1E

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AW128ML70ZB1E - 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

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M68AW128ML70ZB1E 数据手册
M68AW128ML70ZB1E
1. 物料型号: - M68AW128M

2. 器件简介: - M68AW128M是一款2Mbit(128K x 16)的3.0V异步SRAM。它具备完全静态操作的特性,不需要外部时钟或定时信号,具有相等的地址访问和周期时间。该器件只需要一个2.7到3.6V的供电电压,并具备自动省电功能,在未选中时可将功耗降低99%以上。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A16)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(E)、输出使能(G)、写使能(W)、高字节使能输入(UB)、低字节使能输入(LB)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

4. 参数特性: - 供电电压:2.7到3.6V - 访问时间:55ns - 低待机电流 - 低Vcc数据保持:1.5V - 三态共同I/O - 自动省电模式

5. 功能详解: - M68AW128M具备芯片使能省电功能,在芯片使能或UB和LB不被选中时自动进入待机模式。输出使能(G)信号提供高速三态控制,允许在共同I/O数据线上实现快速读写周期。操作模式由设备控制输入W、E、LB和UB决定。

6. 应用信息: - 该器件适用于需要快速读写操作和低功耗的场合,如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息: - M68AW128M提供TFBGA48(0.75mm间距)和TSOP44 Type II封装。此外,还提供符合无铅焊接工艺、JEDEC Std J-STD-020B标准、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS(限制有害物质)指令的无铅版本。
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