M68AW128ML70ZB1F

M68AW128ML70ZB1F

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AW128ML70ZB1F - 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

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M68AW128ML70ZB1F 数据手册
M68AW128ML70ZB1F
1. 物料型号: - M68AW128M

2. 器件简介: - M68AW128M是一个2Mbit(128K x 16)3.0V异步SRAM。它具有静态操作的特性,无需外部时钟或定时信号,具备相等的地址访问和周期时间。它需要一个2.7到3.6V的单一供电电压,具有自动省电功能,在未选中时可将功耗降低99%以上。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A16)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(E)、输出使能(G)、写使能(W)、高字节使能输入(UB)、低字节使能输入(LB)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

4. 参数特性: - 供电电压:2.7V到3.6V。 - 访问时间:55ns。 - 低待机电流。 - 低Vcc数据保持:1.5V。 - 三态共同I/O。 - 自动省电功能。

5. 功能详解: - 设备具备芯片使能省电功能,在芯片使能为高电平或LB和UB为高电平时自动进入待机模式。 - 输出使能(G)提供高速三态控制,允许在共同I/O数据线上实现快速读写周期。 - 操作模式由设备控制输入W、E、LB和UB决定。

6. 应用信息: - 该SRAM适用于需要快速读写操作的应用场合,由于其低功耗特性,也适合电池供电的便携式设备。

7. 封装信息: - M68AW128M提供TFBGA48(0.75mm间距)和TSOP44 Type II封装。此外,还提供符合无铅焊接工艺的版本,符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS(限制有害物质)指令。
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