物料型号：
- M68AW256M
器件简介：
- M68AW256M是一款4Mbit（256K x 16）的3.0V异步SRAM。它具有以下特点：
- 供电电压：2.7到3.6V
- 256K x 16位SRAM，具有输出使能和相等的周期与访问时间
- 访问时间：55ns和70ns
- 低待机电流
- 数据保留：1.5V
- 三态公共I/O
- 自动功率降低
- TSOP44和TFBGA48封装
- 符合无铅焊接流程
引脚分配：
- 引脚包括地址输入（A0-A17）、数据输入/输出（DQ0-DQ15）、芯片使能（E）、输出使能（c）、写使能（W）、上字节使能输入（UB）、下字节使能输入（LB）、供电电压（Vcc）和地（Vss）。
参数特性：
- 供电电压：2.7到3.6V
- 访问时间：55ns和70ns
- 低待机电流
- 数据保留电压：1.5V
功能详解：
- 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/电源降低。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。
- 读取模式：当写使能（W）高电平，输出使能（c）低电平，芯片使能（E）被断言时，设备处于读取模式。
- 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。
- 待机/电源降低模式：当芯片使能（E）不被断言或LB和UB不被断言时，设备进入自动待机模式。
应用信息：
- M68AW256M适用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、内存扩展等。
封装信息：
- TSOP44 Type II封装和TFBGA48封装（6x8mm和7x8mm两种尺寸）
- TSOP44 Type II：标准或无铅选项
- TFBGA48（ZH）：6x8mm
- TFBGA48（ZB）：7x8mm
