M68AW256ML55ND6

1. 物料型号： - M68AW256M是一个4Mbit（256K x 16）的异步SRAM。

2. 器件简介： - M68AW256M是一个262,144字（16位宽）的CMOS SRAM，完全静态操作，无需外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。工作电压为2.7到3.6V，具备自动省电功能，当未选中时，功耗降低99%以上。

3. 引脚分配： - 地址输入A0-A17、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能G、写使能W、高字节使能UB、低字节使能LB、供电电压VCC、地VSS、未连接NC、不使用DU。

4. 参数特性： - 供电电压2.7到3.6V，访问时间55ns或70ns，低待机电流，1.5V的数据保持能力，支持三态I/O，自动省电模式。

5. 功能详解： - 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/省电模式。这些模式由控制输入E、W、G、LB和UB确定。 - 读取模式：当W为高电平，G为低电平，且E被断言时，提供对静态存储阵列中数据的访问。 - 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。 - 待机/省电模式：当芯片使能E被去断言（E=高电平）或LB和UB被去断言（LB和UB=高电平）时，自动进入待机模式。

6. 应用信息： - 该设备可用于需要快速读写操作的静态存储应用，特别是在功耗要求较低的场景下。

7. 封装信息： - M68AW256M有TFBGA48（6x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）、TFBGA48（7x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）和TSOP44 Type II封装。