1. 物料型号:
- M68AW256M
2. 器件简介:
- M68AW256M是一款4Mbit(256K x 16)的3.0V异步SRAM。它具有以下特点:2.7到3.6V的供电电压、256K x 16位的SRAM、55ns和70ns的访问时间、单字节读写功能、低待机电流、三态公共I/O、自动电源关闭功能,并且符合无铅焊接流程。
3. 引脚分配:
- 引脚包括地址输入A0-A17、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能G、写使能W、高字节使能输入UB、低字节使能输入LB、供电电压VCC和地VSS等。
4. 参数特性:
- 供电电压:2.7V至3.6V。
- 访问时间:55ns和70ns。
- 低Vcc数据保持:1.5V。
- 待机/电源关闭功能,可将功耗降低99%以上。
5. 功能详解:
- 设备有四种标准操作模式:输出禁用、读取、写入和待机/电源关闭。这些模式由控制输入E、W、G、LB和UB确定。
- 读取模式:当W为高电平,G为低电平,且E被断言时,设备处于读取模式。
- 写入模式:当W和E为低电平时,设备处于写入模式。
- 待机/电源关闭模式:当芯片使能E为高电平或LB和UB为高电平时,设备进入自动待机模式。
6. 应用信息:
- 该SRAM广泛应用于需要快速读写操作的场合,如缓存存储、数据暂存等。
7. 封装信息:
- 封装类型包括TSOP44和TFBGA48,其中TFBGA48有6x8mm和7x8mm两种尺寸,均采用0.75mm的球间距。
- 封装均符合无铅焊接流程,并符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS指令。