M68AW256ML55ZH1E

1. 物料型号： - M68AW256M

2. 器件简介： - M68AW256M是一款4Mbit（256K x 16）的3.0V异步SRAM。它具有以下特点： - 供电电压：2.7到3.6V - 256K x 16位SRAM，具有输出使能和相等的周期时间和访问时间：55ns、70ns - 低待机电流 - 数据保持：1.5V - 三态公共I/O - 自动功率降低 - TSOP44和TFBGA48封装，符合无铅焊接流程

3. 引脚分配： - 引脚包括地址输入（A0-A17）、数据输入/输出（DQ0-DQ15）、芯片使能（E）、输出使能（c）、写使能（W）、上字节使能输入（UB）、下字节使能输入（LB）、供电电压（Vcc）和地（Vss）等。

4. 参数特性： - 供电电压：2.7V至3.6V - 访问时间：55ns和70ns - 低功耗模式：自动功率降低功能，当未选中时降低功耗超过99%

5. 功能详解： - 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/电源降低。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。

6. 应用信息： - M68AW256M适用于需要快速读写操作和低功耗的应用场合，如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息： - TFBGA48（6x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）和TSOP44 Type II封装。 - 两种封装均提供标准和无铅版本，符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS指令。