物料型号：
- M68AW256M
器件简介：
- M68AW256M是一款4Mbit（4,194,304位）的CMOS SRAM，组织为262,144字×16位。该器件具有全静态操作特性，无需外部时钟或定时脉冲，具有相等的地址访问和周期时间。它需要一个2.7到3.6V的单一供电电压。该设备具有自动断电功能，当未选中时，功耗可降低99%以上。
引脚分配：
- 引脚包括地址输入A0-A17、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能c、写使能W、上字节使能输入UB、下字节使能输入LB、供电电压Vcc和地Vss等。
参数特性：
- 供电电压：2.7V至3.6V
- 访问时间：55ns和70ns
- 低待机电流
- 数据保持：1.5V
- 三态公共I/O
- 自动电源关闭
- 符合无铅焊接流程
功能详解：
- 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/电源关闭。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。
- 读取模式：当写使能(W)为高电平，输出使能(c)为低电平，且芯片使能(E)被断言时，设备处于读取模式。
- 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。写入周期可以在W、E或UB/LB的上升沿提前终止。
- 待机/电源关闭模式：当芯片使能(E)为高电平或LB和UB为高电平时，自动进入待机模式。
应用信息：
- 该SRAM可用于需要快速读写操作的静态内存阵列，具体应用取决于系统的特定要求。
封装信息：
- M68AW256M有TFBGA48（6x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）、TFBGA48（7x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）和TSOP44 Type II封装。所有封装都符合无铅焊接流程。
