M68AW256ML70ZH6F

1. 物料型号： - M68AW256M

2. 器件简介： - M68AW256M是一款4Mbit（256K x 16）的3.0V异步SRAM。它具有以下特点： - 供电电压：2.7到3.6V - 256K x 16位SRAM，具有输出使能（OE）和相等的周期与访问时间 - 访问时间：55ns和70ns - 低待机电流 - 数据保持：1.5V - 三态共同I/O - 自动功率降低功能 - 支持TSOP44和TFBGA48封装

3. 引脚分配： - A0-A17：地址输入 - DQ0-DQ15：数据输入/输出 - E：芯片使能 - c：输出使能 - W：写使能 - UB：高字节使能输入 - LB：低字节使能输入 - Vcc：供电电压 - Vss：地 - NC：内部未连接 - DU：请勿使用，内部已连接

4. 参数特性： - 供电电压：2.7到3.6V - 访问时间：55ns和70ns - 输出使能：具有高速三态控制 - 自动功率降低：降低99%以上功耗 - 数据保持电压：1.5V

5. 功能详解： - 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/电源降低。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。 - 读取模式：当写使能（W）高电平，输出使能（c）低电平，且芯片使能（E）有效时，设备处于读取模式。 - 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。 - 待机/电源降低模式：当芯片使能（E）不被确认或LB和UB不被确认时，设备自动进入待机模式。

6. 应用信息： - 该设备适用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、数据暂存和其他需要高速静态存储的场合。

7. 封装信息： - TSOP44 Type II封装 - TFBGA48封装（6x8mm和7x8mm两种尺寸）