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M68AW256MN55ZB6T

M68AW256MN55ZB6T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AW256MN55ZB6T - 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AW256MN55ZB6T 数据手册
M68AW256MN55ZB6T
1. 物料型号: - M68AW256M

2. 器件简介: - M68AW256M是一款4Mbit(256K x 16)的3.0V异步SRAM。它具有以下特点:2.7到3.6V的供电电压、256K x 16位的SRAM、55ns和70ns的访问时间、单字节读写功能、低待机电流、三态公共I/O、自动电源关闭功能,并且符合无铅焊接流程。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入(A0-A17)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(E)、输出使能(c)、写使能(W)、上字节使能输入(UB)、下字节使能输入(LB)、供电电压(Vcc)和地(Vss)。

4. 参数特性: - 供电电压:2.7V至3.6V - 访问时间:55ns和70ns - 低待机电流 - 数据保持:1.5V - I/O引脚可以三态 - 自动电源关闭以降低功耗

5. 功能详解: - 设备有四种标准操作模式:输出禁用、读取、写入和待机/电源关闭。这些模式由控制输入E、W、G、LB和UB决定。 - 读取模式:当W为高电平,G为低电平,E被断言时,设备处于读取模式。 - 写入模式:当W和E为低电平时,设备处于写入模式。 - 待机/电源关闭模式:当芯片使能E不被断言或LB和UB不被断言时,设备进入自动待机模式。

6. 应用信息: - M68AW256M可用于需要快速读写操作和低功耗的应用场合,如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息: - 该器件提供TFBGA48(6x8mm - 6x8活性球阵列,0.75mm节距)和TSOP44 Type II封装。 - 封装符合无铅焊接流程,并符合JEDEC Std J-STD-020B、ST ECOPACK 7191395规范和RoHS指令。
M68AW256MN55ZB6T 价格&库存

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