M68AW256MN55ZH6F

1. 物料型号： - 型号为M68AW256M，是一个4Mbit (256K x 16)的3.0V异步SRAM。

2. 器件简介： - M68AW256M是一个4Mbit（4,194,304位）的CMOS SRAM，组织为262,144字 x 16位。该器件具有完全的静态操作特性，不需要外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。它只需要一个2.7到3.6V的单一供电。该设备具有自动电源关闭功能，当未选中时，可以减少99%以上的功耗。

3. 引脚分配： - 引脚包括地址输入A0-A17、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能c、写使能W、上字节使能输入UB、下字节使能输入LB、供电电压Vcc和地Vss等。

4. 参数特性： - 供电电压：2.7到3.6V。 - 访问时间：55ns和70ns。 - 低待机电流。 - 数据保持：1.5V。 - 三态公共I/O。 - 自动电源关闭。 - 符合无铅焊接流程。

5. 功能详解： - 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/电源关闭。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。 - 读取模式：当写使能(W)为高电平，输出使能(c)为低电平，且芯片使能(E)被断言时，设备处于读取模式。 - 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。 - 待机/电源关闭模式：当芯片使能(E)不被断言或LB和UB不被断言时，设备进入自动待机模式。

6. 应用信息： - 该SRAM可用于需要快速读写操作的应用，如缓存存储、内存扩展等。

7. 封装信息： - 封装类型包括TFBGA48（6x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）、TFBGA48（7x8mm - 6x8活性球阵列，0.75mm节距）和TSOP44 Type II封装。 - 所有封装都符合无铅焊接流程。