M68AW256MN70ND1F

M68AW256MN70ND1F

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AW256MN70ND1F - 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

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M68AW256MN70ND1F 数据手册
M68AW256MN70ND1F
1. 物料型号: - M68AW256M

2. 器件简介: - M68AW256M是一款4Mbit(256K x 16)的3.0V异步SRAM。它具有以下特点:2.7到3.6V的供电电压、256K x 16位的SRAM、55ns和70ns的访问时间、单字节读写功能、低待机电流、数据保持功能、三态公共I/O、自动电源关闭功能,并且有TSOP44和TFBGA48两种封装。

3. 引脚分配: - 引脚包括地址输入A0-A17、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能E、输出使能c、写使能W、上字节使能输入UB、下字节使能输入LB、供电电压Vcc和地Vss等。

4. 参数特性: - 供电电压:2.7到3.6V。 - 访问时间:55ns和70ns。 - 低待机电流。 - 数据保持:1.5V。 - 支持无铅焊接工艺。

5. 功能详解: - 设备有四种标准操作模式:输出禁用、读取、写入和待机/电源关闭。这些模式由控制输入E、W、c、LB和UB确定。 - 读取模式:当写使能(W)为高电平,输出使能(c)为低电平,且芯片使能(E)被断言时,设备处于读取模式。 - 写入模式:当W和E为低电平时,设备处于写入模式。 - 待机/电源关闭模式:当芯片使能(E)为高电平或LB和UB为高电平时,设备进入自动待机模式。

6. 应用信息: - 该SRAM广泛应用于需要快速读写操作的场合,如缓存存储、数据暂存等。

7. 封装信息: - TSOP44 Type II封装和TFBGA48封装(6x8mm和7x8mm两种尺寸),均支持标准和无铅版本。
M68AW256MN70ND1F 价格&库存

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