M68AW256MN70ZH6T

物料型号： - M68AW256M

器件简介： - M68AW256M是一款4Mbit（256K x 16）的3.0V异步SRAM。它具有全静态操作的特性，无需外部时钟或定时信号，具有相等的地址访问和周期时间。工作电压为2.7到3.6V。该设备具备自动省电功能，当未被选中时，功耗可降低99%以上。

引脚分配： - 地址输入（A0-A17） - 数据输入/输出（DQ0-DQ15） - 芯片使能（E） - 输出使能（G） - 写使能（W） - 高字节使能输入（UB） - 低字节使能输入（LB） - 供电电压（VCC） - 地（VSS） - 未连接（NC） - 不使用（DU）

参数特性： - 供电电压：2.7到3.6V - 访问时间：55ns、70ns - 低待机电流 - 数据保持：1.5V - 三态公共I/O - 自动省电模式 - TSOP44和TFBGA48封装 - 符合无铅焊接流程

功能详解： - 设备有四种标准操作模式：输出禁用、读取、写入和待机/省电模式。这些模式由控制输入E、W、G、LB和UB确定。 - 读取模式：当W为高电平，G为低电平，且E被断言时，设备处于读取模式。 - 写入模式：当W和E为低电平时，设备处于写入模式。 - 待机/省电模式：当芯片使能被取消（E为高电平）或LB和UB被取消（LB和UB为高电平）时，自动进入待机模式。

应用信息： - 该产品适用于需要快速读写操作和低功耗的应用场合。

封装信息： - TSOP44 Type II封装（ND） - TFBGA48封装（ZH）6 x 8mm - TFBGA48封装（ZB）7 x 8mm