M68AW512M

### 物料型号 - 型号：M68AW512M

### 器件简介 - 特点：8 Mbit (512K x 16) 3.0V Asynchronous SRAM，具有以下特性： - 供电电压：2.7 to 3.6V - 512K x 16位SRAM - 输出使能（OUTPUT ENABLE） - 访问时间：55ns - 低待机电流 - 数据保留电压：1.5V - 三态公共输入/输出 - 自动掉电功能

### 引脚分配 - 引脚： - A0-A16：地址输入 - DQ0-DQ15：数据输入/输出 - E：芯片使能 - c：输出使能 - W：写使能 - UB：高字节使能输入 - LB：低字节使能输入 - Vcc：供电电压 - Vss：地 - NC：内部未连接 - DU：请勿使用，内部已连接

### 参数特性 - 供电电压：2.7V 至 3.6V - 访问时间：55ns - 待机模式：降低功耗超过99%

### 功能详解 - 操作模式： - 读模式：当W为高，G为低，E被断言时。 - 写模式：当W和E为低时。 - 自动掉电功能：在未选中时降低功耗。

### 应用信息 - 应用：该SRAM广泛应用于需要快速读写操作的场合，由于其低功耗特性，特别适合于电池供电设备。

### 封装信息 - 封装类型：TSOP44 Type II (ND) - 封装尺寸：详细信息见PDF文档中的Figure 14和Table 10。