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M68AW512ML55ND1T

M68AW512ML55ND1T

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    M68AW512ML55ND1T - 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM - STMicroelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M68AW512ML55ND1T 数据手册
M68AW512ML55ND1T
1. 物料型号: - M68AW512M

2. 器件简介: - M68AW512M是一款8Mbit(512K x 16)的3.0V异步SRAM。 - 特点包括2.7至3.6V的供电电压、512K x 16位SRAM、等周期和访问时间、55ns的单字节读写、低待机电流、数据保留、三态公共I/O和自动电源关闭功能。

3. 引脚分配: - A0-A16:地址输入 - DQ0-DQ15:数据输入/输出 - E:芯片使能 - c:输出使能 - W:写使能 - UB:高字节使能输入 - LB:低字节使能输入 - Vcc:供电电压 - Vss:地 - NC:内部未连接 - DU:请勿使用,内部已连接

4. 参数特性: - 供电电压:2.7至3.6V - 访问时间:55ns - 待机模式下降低功耗超过99%

5. 功能详解: - 该SRAM无需外部时钟或定时信号,支持全静态操作。 - 自动电源关闭功能在未选中时大幅降低功耗。 - 支持芯片使能和输出使能控制,实现快速读写周期。

6. 应用信息: - 适用于需要快速读写和低功耗的应用场合。

7. 封装信息: - TSOP44 Type II(ND)
M68AW512ML55ND1T 价格&库存

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