物料型号:
- M74HCT646
- M74HCT648
器件简介:
M74HCT646/648是高速CMOS八总线收发器/寄存器(3态),采用硅门C2MOS技术制造。它们结合了LSTTL的高速性能和真正的CMOS低功耗特性。这些设备由带有3态输出的总线收发器电路、D型触发器和控制电路组成,用于直接从输入总线或内部寄存器复用传输数据。在收发器模式下,高阻抗端口上的数据可以存储在任一寄存器中或同时存储在两个寄存器中。提供了使能(G)和方向(DIR)引脚以控制收发器功能。
引脚分配:
- CLOCK AB(引脚1):A到B时钟输入(低到高边沿触发)
- SELECT AB(引脚2):选择A到B源输入
- DIR(引脚3):方向控制输入
- A1至A8(引脚4至11):A数据输入/输出
- B1至B8(引脚13至20):B数据输入/输出
- G(引脚21):输出使能输入(低电平有效)
- SELECT BA(引脚22):选择B到A源输入
- CLOCK BA(引脚23):B到A时钟输入(低到高边沿触发)
- GND(引脚12):地(0V)
- Vcc(引脚24):正供电电压
参数特性:
- 高速fMAX = 60 MHz(典型值)在VCC = 5V时
- 低功耗ICC = 4 µA(最大值)在TA = 25°C时
- 与TTL输出兼容
- VIH = 2V(最小值)和VIL = 0.8V(最大值)
- 输出驱动能力:能驱动15个LSTTL负载
- 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 6 mA(最小值)
- 平衡传播延迟:tPLH = tPHL
功能详解:
- 在使能G为低电平时,A总线为输入,B总线为输出;反之亦然。
- 方向控制DIR确定在使能G为低电平时哪个总线接收数据。
- 在隔离模式下(使能G为高电平),“A”数据可以存储在一个寄存器中和/或“B”数据存储在另一个寄存器中。
- 当输出功能被禁用时,输入功能仍然启用,并且可以用来存储和传输数据。
应用信息:
M74HCT646/648设计用于直接将HSCMOS系统与TTL和NMOS组件接口,并且它们也是LSTTL设备的插入式替代品,从而降低了功耗。
封装信息:
- Plastic DIP24 (0.25 inch)
- SO24