物料型号:
- M54HCT75F1R
- M74HCT75M1R
- M74HCT75B1R
- M74HCT75C1R
器件简介:
M54/74HCT75是一种高速CMOS 4位D型锁存器,采用硅门C2MOS技术制造。它结合了LSTTL的高速性能和CMOS的低功耗特性。该芯片包含两组2位锁存器,由使能输入(G1·2或G3·4)控制。这些锁存器组可以在不同的电路中使用。每个锁存器具有Q和Q输出(1Q-4Q和1Q-4Q)。当使能输入为高时,数据输入会传输到Q和Q输出,并且只要使能输入保持高电平,输出就会跟随数据输入。当使能输入为低时,数据信息会保留在输出端。所有输入都配备了防静电放电和瞬态过电压的保护电路。该集成电路的输入和输出特性与54/74 LSTTL逻辑系列完全兼容。M54/74HCT设备旨在直接将HSC2MOS系统与TTL和NMOS组件接口。它们也是LSTTL设备的直接替代品,可降低功耗。
引脚分配:
- 1, 4, 11, 8:1Q至4Q(互补锁存器输出)
- 2, 3, 6, 7:1D至4D(数据输入)
- 4:G3(第3和4个锁存器的锁存器使能输入)
- 13:G1·2(第1和2个锁存器的锁存器使能输入)
- 15, 15, 10, 9:1Q至4Q(锁存器输出)
- 12:GND(地)
- 5:Vcc(正电源电压)
参数特性:
- 供电电压(Vcc):-0.5至+7V
- 输入电压(V1):-0.5至Vcc+0.5V
- 输出电压(Vo):-0.5至Vcc+0.5V
- 输入二极管电流(K):±20mA
- 输出二极管电流(loK):±20mA
- 每个输出引脚的输出源/汇电流(lo):±25mA
- Vcc或地电流(lcc或IGND):±50mA
- 功耗(PD):500mW()
- 存储温度(Tstg):-65至+150℃
- 引脚温度(TL)(10秒):300℃
功能详解:
M54/74HCT75的真值表如下:
| 输入(D, G) | 输出(Q, Q) |
| --- | --- |
| L(低),H(高) | L,H |
| H,H | H,L |
| X(不确定),L | Qn,Qn(锁存) |
应用信息:
M54/74HCT75适用于需要高速和低功耗的4位D型锁存器的应用场合,可以直接替换LSTTL设备以降低功耗,适用于HSC2MOS系统与TTL和NMOS组件的接口。
封装信息:
- Plastic Package(塑料封装):B1R
- Ceramic Package(陶瓷封装):F1R
- Micro Package(微型封装):M1R
- Chip Carrier(芯片载体):C1R