1. 物料型号:
- 型号为SD57045-01,是一款N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFET。
2. 器件简介:
- SD57045-01是为宽带商业和工业应用设计的公共源N-Channel增强型横向场效应射频功率晶体管,适用于高达1.0 GHz的频率。该器件在28V下工作,具有高增益和宽带性能,非常适合需要高线性度的基站应用。
3. 引脚分配:
- 1. Drain(漏极)
- 2. Source(源极)
- 3. Gate(栅极)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- V(BR)DSS(漏源电压):65V
- VDGR(漏-栅电压,Ras = 1MΩ):65V
- VGs(栅-源电压):±20V
- Io(漏极电流):5A
- PDISs(功率耗散,Tc = 70°C):93W
- T(最大工作结温):200°C
- TSTG(存储温度):-65至200°C
5. 功能详解:
- 该器件在945 MHz下具有45W的饱和输出功率和13dB的增益,且不使用BeO材料的封装。
6. 应用信息:
- 适用于需要高线性度和宽带性能的基站应用。
7. 封装信息:
- 封装代码为M250(环氧树脂密封),订购代码为SD57045-01。