STB200NF04-1

物料型号： - STP200NF04 - STB200NF04 - STB200NF04-1

器件简介： 这些MOSFET是STMicroelectronics独特“Single Feature Size™”条带工艺的最新开发成果。晶体管展示了极低的导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的对齐步骤，因此具有显著的制造再现性。

引脚分配： - D(2)：漏极 - G(1)：栅极 - S：源极（隐含，未在文档中明确列出）

参数特性： - 漏源电压(Vpss)：40V - 导通电阻(Rps(on))：小于0.0037欧姆 - 连续漏极电流(ID)：120A - 功率损耗(Pw)：310W

功能详解： - 标准阈值驱动 - 100%雪崩测试 - 高电流、高开关速度应用，如汽车领域

应用信息： 适用于高电流和高开关速度的应用场景，特别是在汽车行业中。

封装信息： - TO-220 - D2PAK - I2PAK

订购信息： - STP200NF04：P200NF4，TO-220封装，管式包装 - STB200NF04T4：B200NF04，D2PAK封装，带卷装 - STB200NF04-1：B200NF04，12PAK封装，管式包装