物料型号：
- STB45NF06
- STP45NF06
器件简介：
这些设备是N通道功率MOSFET，采用意法半导体独特的“单特征尺寸”条带工艺制造。这些晶体管展示了极低的导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的对齐步骤，因此制造再现性显著。
引脚分配：
- D(2)：漏极
- G(1)：栅极
- S(3)：源极
参数特性：
- 电压(Vpss)：60V
- 导通电阻(Rps(on))：小于0.028欧姆
- 电流(ID)：38A
功能详解：
- 具有出色的dv/dt能力
- 标准阈值驱动
- 100%雪崩测试
应用信息：
- 开关应用
封装信息：
- TO-220
- D2PAK
电气特性：
- 绝对最大额定值、热数据、雪崩特性、导通和截止状态下的特性、动态特性、开关时间、源-漏二极管特性等。
测试电路：
- 提供了开关时间、栅极电荷、感性负载开关和二极管恢复时间的测试电路图。
机械数据：
- 提供了TO-220和D2PAK封装的详细机械尺寸数据。
修订历史：
- 最后修订日期为2010年7月5日。
版权和免责声明：
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