物料型号:STD100N03L 和 STD100N03L-1
器件简介:这些MOSFET是STMicroelectronics的“Single Feature Size™”stripbased工艺的最新改进产品,具有高封装密度、低导通电阻、坚固的雪崩特性、低栅极电荷和较少的对齐步骤,因此制造再现性显著提高。这些新改进的设备专门为汽车应用和DC-DC转换器设计。
引脚分配:D(漏极)、G(栅极)、S(源极)
参数特性:
- 漏源电压(Vpsss):30V
- 导通电阻(Rps(on)):小于0.0055欧姆
- 连续漏极电流(ID):80A
- 功率耗散(Pw):110W
功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括阈值电压、导通电阻、栅极电荷、开关时间、二极管正向特性等。
应用信息:适用于开关应用。
封装信息:提供DPAK和IPAK两种封装选项,文档还包含了详细的机械数据和包装信息。