STD100N3LF3

- 物料型号：STD100N3LF3 - 器件简介：这是一种N-channel功率MOSFET，具有30V的漏源电压、小于0.0055欧姆的导通电阻、80A的连续漏电流和110W的总功耗。 - 引脚分配：D（漏极）标记为2，G（栅极）标记为1，S（源极）标记为3。 - 参数特性：包括电气额定值、热数据、雪崩特性等，例如漏源电压最大30V，栅源电压±20V，连续漏电流80A（25°C时），总功耗110W等。 - 功能详解：文档提供了详细的电气特性表，包括开启和关闭状态下的参数，动态参数，开关时间，以及源-漏二极管的参数。 - 应用信息：适用于开关应用和汽车领域。 - 封装信息：使用DPAK封装，提供了详细的机械数据和包装信息。

文档还包含了电气特性曲线、安全工作区域、热阻抗、输出特性、转移特性、跨导、静态漏源导通电阻、栅极电荷与栅源电压的关系、电容变化、栅极阈值电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、源-漏二极管的正向特性等图表。