STD3NM50T4

厂商：
STMICROELECTRONICS(意法半导体)
封装：
TO-252(DPAK)
描述：
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK

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STD3NM50T4 数据手册

STD3NM50 STD3NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5Ω - 3A DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh™ MOSFET TYPE STD3NM50 STD3NM50-1 VDSS (@Tjmax) RDS(on) ID 550V 550V

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STD3NM50T4

物料型号：STD3NM50 和 STD3NM50-1

器件简介：MDmesh™ MOSFET技术，结合了多重漏极工艺和PowerMESH™水平布局，具有出色的低导通电阻、高dv/dt能力和优秀的雪崩特性。

引脚分配：文档中提供了内部原理图，但未明确列出具体的引脚分配。

参数特性： - 导通电阻（RDS(on)）典型值为2.5欧姆 - 门极输入电容和电荷低 - 门极输入电阻低 - 制造过程控制严格，产量高

功能详解： - 高dv/dt和雪崩能力 - 增强的ESD能力 - 低输入电容和门极电荷 - 低门极输入电阻

应用信息：适用于提高高电压转换器的功率密度，允许系统小型化和更高效率。

封装信息：提供了DPAK和IPAK两种封装的机械数据。

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