物料型号:
- STD4NK50ZD-1
- STD4NK50ZD
- STF4NK50ZD
- STP4NK50ZD
器件简介:
这些型号属于N沟道功率MOSFET,具有500V的漏源电压、小于2.70欧姆的导通电阻、3A的漏极连续电流、45W或20W的功率损耗能力。它们都经过了100%的雪崩测试,具有极高的dv/dt能力,并且栅极电荷最小化。
引脚分配:
文档中提到了D(2)和G(1),但未提供完整的引脚分配图或说明。
参数特性:
- 漏源电压(Vpss):500V
- 导通电阻(Rps(on)):小于2.70欧姆
- 漏极电流(lD):3A
- 功率损耗(Pw):45W或20W
功能详解:
这些MOSFET结合了降低导通电阻、齐纳栅极保护和出色的直流/直流能力以及快速的体-漏恢复二极管的所有优势。它们补充了FDmesh™先进技术。
应用信息:
适用于开关应用。
封装信息:
提供DPAK、TO-220、TO-220FP和IPAK封装选项。