物料型号:
- STD95N04
- STP95N04
器件简介:
- 这两种N-channel增强型功率MOSFET是STMicroelectronics基于“Single Feature Size™”条带工艺的最新产品,具有高封装密度、低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
引脚分配:
- D(漏极):引脚1
- Q(源极):引脚2
- S(栅极):引脚3
参数特性:
- 工作电压(Vpss):40V
- 导通电阻(Rps(on)):<6.5mΩ
- 功率(Pw):110W
- 雪崩测试:100%雪崩测试
- 封装类型:DPAK和TO-220
功能详解:
- 适用于开关应用,具有高电流承载能力(80A)和高功率耗散(110W)。
- 提供了详细的电气特性表,包括静态和动态参数,如阈值电压、导通电阻、输入/输出电容和栅极电荷等。
应用信息:
- 主要用于开关应用。
封装信息:
- STD95N04:DPAK封装,采用胶带和卷轴包装。
- STP95N04:TO-220封装,采用管式包装。