STFW4N150

STFW4N150

  • 厂商:

    STMICROELECTRONICS(意法半导体)

  • 封装:

    TO-3P-3

  • 描述:

    采用成熟的高压MESH OVERLAY™工艺,设计了一系列性能卓越的超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合,使单位面积的 $\mathsf{R}_{\mathsf{D S}(...

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STFW4N150 数据手册
STFW4N150 STP4N150, STW4N150 N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STFW4N150 1500 V
STFW4N150
物料型号: - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150

器件简介: STFW4N150, STP4N150, STW4N150 是 N 通道 1500V、5Ω、4A 的 PowerMESH™ 功率 MOSFET,采用 TO-220、TO-247、TO-3PF 封装。


引脚分配: - D(2)O:漏极 - G(1):栅极 - S(3)C:源极

参数特性: - 漏源电压 (Vps):1500V - 最大导通电阻 (Rps(on) max):STFW4N150 <70mΩ,STP4N150 <7mΩ,STW4N150 <7mΩ - 连续漏极电流 (lp):4A - 功率 (Pw):STFW4N150 63W,STP4N150 和 STW4N150 160W

功能详解: - 100%雪崩测试 - 固有电容和栅极电荷 (Qg) 最小化 - 高速开关 - 完全隔离的 TO-3PF 塑料封装 - 爬电距离路径为 TO-3PF 的 5.4mm(典型值)

应用信息: 适用于开关应用。


封装信息: - TO-220 封装 - TO-247 封装 - TO-3PF 封装

详细的电气特性、热数据、雪崩特性等信息可以在提供的文档中找到。
STFW4N150 价格&库存

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STFW4N150
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